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*. 项目名称：掺饵氮化硅芯片元素和形貌诊断
*.成交供应商名称：湖北九峰山实验室
*.成交供应商地址：武汉市东湖新技术开发区九龙湖街*号
*.成交金额(折合人民币)：******元
*. 付款方式：服务完成且验收合格后**个工作日之内付合同金额***%。
*.主要成交标的：
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序号 |
服务名称 |
服务内容 |
服务期限 |
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透射电镜形貌分析 |
使用透射电子显微镜观察样品微观形貌 |
合同签订之日起 * 个月 |
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***样品制备 |
采用聚焦离子束技术对掺铒氮化硅芯片指定区域进行精确定位切割，制备适用于透射电镜观察的样品 |
合同签订之日起 * 个月 |
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扫描透射成分分析*** |
利用能谱仪对样品微区进行进行纳米尺度成分分析，识别掺铒分布及杂质元素 |
合同签订之日起 * 个月 |
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*-**** 材料元素分析 |
采用动态二次离子质谱对掺铒氮化硅芯片进行深度方向的元素浓度分布分析，获得铒及主要杂质元素随深度的变化曲线 |
合同签订之日起 * 个月 |
华中科技大学武汉光电国家研究中心
****年**月**日
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