序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 晶圆清洗机 | 4台 | 1 晶圆清洗机/Metal Al/Au/Cr etch 1 台/1 set 1、实现55纳米级别清洗 2、使用化学品对金属层进行去除以达到需要的厚度和均匀性 2 晶圆清洗机 / Oxide/Nitride recycle 1台/1 set 1、实现55纳米级别清洗 2、使用化学品对金属层进行去除以达到需要的厚度和均匀性 3 晶圆清洗机 /Metal recycle 1台/1 set 1、实现55纳米级别清洗 2、使用化学品对金属层进行去除以达到需要的厚度和均匀性 4 晶圆清洗机 /Poly recycle 1台/1 set 1、实现55纳米级别清洗 2、使用化学品对金属层进行去除以达到需要的厚度和均匀性 | |
2 | 晶硅刻蚀机、氧化刻蚀机 | 3台 | 1 晶硅刻蚀机/ Oxide dry etch 2台/2sets 1.实现多晶硅刻蚀要求etch rate >1500A/min 2.主刻蚀比氧化层选择比大于150:1 3.Chamber 与chamber 差异小于5%。 2 氧化刻蚀机/ Oxide dry etch 1台/1set 1.实现多晶硅刻蚀要求etch rate >1500A/min 2.主刻蚀比氧化层选择比大于150:1 3.Chamber 与chamber 差异小于5%。 | |
3 | 化学镀 | 1台 | 1.实现Al-Cu/Al-Si上沉积超均一性NiPdAu镀层之要求 2.镀层厚度Spec. Ni=2-4um,Pd=0.02-0.05um,Au=0.02-0.06um 3. 镀层均一性满足Cpk>2.0 4. 实现薄片(wafer thickness<100um)应对技术,破片率<1/1000 | |
4 | 激光热退火机 | 1台 | 实现离子注入后的激光退火工艺 | |
5 | 干法去胶机/ | 2台 | 1.Strip Rate:56000+/-3000A/min 2.Strip Rate Uni : <8% WPH>120P/H | |
6 | 晶圆外观检查机 | 5台 | 实现0.18um的微观测量/ Realization of 0.18um Micro-observation |
版权声明:以上所展示的信息由会员自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。必联网对此不承担任何责任。
友情提醒:为保证您能够顺利投标,请在投标或购买招标文件前向招标代理机构或招标人咨询投标详细要求,具体要求及项目情况以招标代理机构或招标人的解释为准。
客服电话:400-0606-000